|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние сильного электрического поля и освещения на долговременные релаксации пьезосопротивления в p-GaAs/AlGaAs.дипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Автор: Колоколов К.И.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1996
- Аннотация: Установлено, что разогрев электронной подсистемы с помощью внешних воздействий (излучение, сильное электрическое поле) приводит к значительному ускорению процессов долговременной релаксации пьезосопротивления в гетероструктуре p-GaAs/AlGaAs.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович