|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Анизотропия подвижности двумерных носителей заряда в гетероструктурах на основе GaAs/AlGaAs при одноосном сжатии.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Минина Н.Я.
- Автор: Полянский А.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2002
- Аннотация: При сжатии вдоль направлений [110] и [1-10]изменение анизотропии подвижности двумерных электронов и дырок качественно отличалось. Если у электронов подвижность изменялась подобно и в продольном, и в поперечном направлении, что может быть объяснено влиянием концентрации носителей на рассеяние, то у дырок она росла в направлении сжатия и падала в перпендикулярном направлении так, что анизотропия подвижности могла в два раза превзойти исходное значение при предельных достигнутых деформациях. Последнее находится в качественном согласии с рассчитанным сильным изменением анизотропии поверхности Ферми дырок при сжатии.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна