Аннотация:Методом ЭПР-спектроскопии исследованы серии образцов нанокристаллического оксида цинка, как исходные, так и легированные примесью галлия с различной коцентрацией, а также модфицированных тетратиафульваленом и квантовыми точками CdSe. Установлено, что основным типом спиновых центров в нанокристалле оксида цинка являются мелкие донорные центры, в состав которых входит водород, вакансии кислорода и цинка, пары дефектов «вакансии цинка–междоузельные атомы цинка».ьОбнаружено, что концентрация мелких доноров меняется немонотонно с ростом концентрации легирующей примеси, что, по-видимому, обусловлено образованием кластеров из примесных атомов на поверхности нанокристаллов оксида цинка. С ростом температуры отжига нанокристаллов оксида цинка, легированного галлием, увеличивается концентрация мелких доноров, что свидетельствует об активационном характере процесса образования данных дефектов.
Обнаружено, что концентрация мелких доноров в нанокристаллах оксида цинка растет при добавлении в реагирующую смесь олеиновой кислоты, в состав которой входят атомы водорода, участвующие в образовании мелких доноров. Данные дефекты, вероятно, образуют донорно-акцепторные пары с центрами VZn2−, которые в результате перераспределения заряда внутри пары переходят в парамагнитные состояния VZn− , что регистрируется в виде роста сигнала ЭПР от указанных центров.Установлено, что при освещении в диапазоне 250-1000нм не происходит захвата фотовозбужденных носителей заряда дефектами в легированном и модифицированном нанокристаллическом оксиде цинка. и, соответственно, ограничения траспорта носителей заряда, что имеет важное значение для практических применений данного материала в области наносенсорики.