Аннотация:Современные тенденции развития сверхпроводящей электроники требуют разработки новых типов логических элементов, основанных на квантовых принципах. В связи с тем, что когерентное поведение электронов (куперовских пар) в сверхпроводниках описываются единой макроскопической квантовой волновой функцией, а любое спиновое возмущение приводит к ее разрушению, то особый, как научный, так и прикладной, интерес вызывают гибридные системы на основе сверхпроводников (S) и ферромагнетиков (F). Изучение транспортных свойств сверхпроводников, находящихся в хорошем металлическом контакте с ферромагнетиками позволило сделать такие фундаментальные открытия, как возвратная сверхпроводимость и 0-π джозефсоновский контакт. Эти открытия были сделаны благодаря пространственно-распределенной осциллирующей природе разрушения квантовой когерентности в присутствии обменного магнитного поля. Сверхпроводники и ферромагнетики являются антагонистами по отношению к спиновому упорядочению, что и приводит к тому, что волновая функция сверхпроводника, в силу эффекта близости, наводимая на некоторую характерную глубину в ферромагнетик, осциллирует.
На настоящий момент явление осцилляций сверхпроводящей волновой функции довольно хорошо изучено учеными экспериментаторами. Однако, в силу довольно быстрого затухания (1-3 нм) спадающей и осциллирующей наведенной сверхпроводящей волновой функции в ферромагнетике, требуется использование современных методов изготовления однородных по толщине сверхтонких пленок ферромагнетиков и сверхпроводников с высокой воспроизводимостью.
В данной дипломной работе будет продемонстрирован процесс подготовки сверхвысоковакуумного технологического комплекса к напылению многослойных гетероструктур, включающих сверхпроводящие и ферромагнитные слои. На изготовленных образцах будет продемонстрирован эффект возвратной сверхпроводимости, являющийся косвенным подтверждением осцилляции наведенной волновой функции сверхпроводника в тонкий ферромагнитный слой. Подготовка к изготовлению образцов сопровождалась детальным исследованием электронных, магнитных и топографических свойств отдельных слоев. После чего был предложен оригинальный способ изготовления градиентных по толщине структур. Дипломная работа выводит экспериментальную часть исследования S/F и S/F/S структур на качественно новый уровень.