Аннотация:В последнее время на ряду с коммерчески реализуемыми полупроводниковыми фотокатализаторами, такими как TiO2 и ZnO, большое внимание уделяют нитриду углерода (g-C3N4). В отличие от оксидных фотокатализаторов g-C3N4 обладает двумерной слоистой структурой с Ван-дер-Ваальсовыми связями между графитоподобными слоями нитрида углерода и шириной запрещенной зоны около 2.7эВ, что обеспечивает поглощение электромагнитного излучения УФ и видимого диапазона (до 450-460 нм). Кроме того, благодаря зонной структуре нитрида углерода, при облучении электромагнитным излучением, с энергией большей ширины запрещенной зоны, фотогенерированные носители заряда обладают большим восстановительным потенциалом.
Целью данной работы являлось получение и исследование свойств полупроводникового материала g-C3N4, а также установление влияния условий получения и допирования на структуру и фотокаталитическую активность полученных препаратов.