|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние условий синтеза на структуру дефектов в нанокристаллическом оксиде цинкадипломная работа (Бакалавр)
- Научный руководитель: Константинова Е.
- Автор: Д.С. Пономаренко
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2020
- Аннотация: Исследована природа и определены параметры дефектов в наночастицах оксида цинка, сформированных двумя различными методами: электрохимическим (с использованием различных электролитов и импульсного переменного тока) и золь-гель. Установлено, что основным типом дефектов в электрохимических образцах являются вакансии цинка (V_(Zn_- )), бивакансия цинка (V_(Zn^- ) )_2, комплексы вакансия-междоузельный цинк (V_(Zn^- )–Zn_i), кислородные вакансии (V_O^+). Были рассчитаны концентрации вакансий цинка и кислорода: 2.2×10^16 〖 г〗^(-1) и 2.8×10^16 г^(-1) для ZnO–NaCl, 0.62×10^16 〖 г〗^(-1) и 3.7×10^16 г^(-1) для ZnO–KCl, 1.2×10^13 〖 г〗^(-1) и 3.2×10^12 г^(-1) для ZnO–LiCl и 2.3×10^16 г^(-1) для ZnO–Na _2 SO_(4,) соответственно. Обнаружено, что основным типом дефектов в образцах, полученных золь-гель методом, являются вакансии цинка и кислорода. В легированном азотом нанооксиде цинка зарегистрированы N^•- радикалы, концентрация которых растет от 1,5×10^17 г^(-1) до 9,6×10^17 г^(-1) при увеличении температуры отжига образцов от 1000 K до 1200 K. Установлено, что атомы азота могут находиться как в узлах решетки оксида цинка, замещая кислород, так и в междоузлии.
- Добавил в систему: Константинова Елизавета Александровна