|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование перехода от 2D к 3D росту при низкотемпературной гетероэпитаксии Si/Ge структурдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Овчинникова Е.Н.
- Автор: Павленко Е.С.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2012
- Аннотация: Были проведены экспериментальные исследования серии многослойных гетероэпитаксиальных структур. Применены экспериментальные методики – рентгеновская рефлектометрия и рентгеновская дифрактометрия, привлечены данные метода ПРЭМ. Проведён математический анализ экспериментальных результатов с использованием решения обратных задач рассеяния. На основании теоретического анализа восстановлены модели исследуемых структур. Получены количественные характеристики структурных параметров. На основании полученных результатов сформулировано описания перехода роста гетероэпитаксиальных структур при низкотемпературной эпитаксии. • Тонкие слои Ge 2-5 MC формируются по механизму Франка-Ван дер Мерве, с образованием сплошных слоев с однородной толщиной. • При достижении слоем Ge толщины в 7 МС напряжение кристаллической решетки становится максимальным, механизм роста меняется на смешанный (Странски-Крастанов). • При превышении критической толщины в 7 МС накопленные напряжения релаксируют с образованием дефектов. • Релаксированный толстый слой германия (10-12 МС) меняет механизм роста спейсерного слоя кремния на Странски-Крастанов, что сопровождается формированием выраженного рельефа поверхности кремниевых слоев. • Изменение механизма роста слоев кремниевого и германиевого слоя приводит к формированию перевернутых пирамид Ge.
- Добавил в систему: Овчинникова Елена Николаевна