|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование влияния радиационных факторов на структуру и характеристики биполярного транзистора с помощью TCADдипломная работа (Магистр)
- Научный руководитель: Кожухов Максим Владимирович
- Автор: Борисов Олег Романович
- Тип: Магистр
- Организация, в которой проходила защита: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
- Год защиты: 2019
- Аннотация: В данной работе объектом исследования является биполярный кремний-германиевый транзистор SGB25V фирмы IHP-Electronics. Цель выпускной квалификационной работы заключается в создании приборно-технологической модели SiGe ГБТ SGB25V, моделировании электрических характеристик до и после воздействия гамма-излучения, с последующим сравнением с экспериментальными данными. Предмет исследования – основные характеристики кремний- германиевых транзисторов при воздействии радиационных эффектов. Для выполнения цели работы применяются программные способы описания структуры транзистора, численные методы решения 2D дифференциальных уравнений в частных производных, методы аппроксимации и обработки результатов экспериментов. Выпускная квалификационная работа состоит: из введения, шести глав, заключения, списка использованных источников и одного приложения. По мимо входных и выходных ВАХ был получен расширенный набор характеристик, в том числе динамических. Полученные результаты адекватно описывают экспериментальные данные с двадцатью процентной погрешностью. Результаты выпускной квалификационной работы можно использовать для прогнозирования радиационной стойкости кремний-германиевых транзисторов, а также для создания их схемотехнических моделей. Эта междисциплинарная курсовая работа изложена на 78 страницах, содержит 5 таблиц, 57 рисунков, 30 использованных источников литературы и одно приложение.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович