Аннотация:Проведён анализ зависимости распада излучения в мощных инжекционных лазерах с широким контактом на пространственные каналы генерации от параметров структуры этих приборов путём численного расчёта оптического поля. Рассматривается возможность использования различных расчётных пакетов для описания полей как в лазерах, так и в планарных оптических усилителях, построенных на основе тех же многослойных полупроводниковых структур, что и лазеры.