Аннотация:Нанотетраподы ZnO с заострёнными концами обладают хорошими эмиссионными свойствами, так как имеют низкий эмиссионный барьер, большую скорость насыщения и высокое соотношение площади поверхности к объёму, что также важно для эффективности эмиттеров. Преимуществом ZnO перед другими полупроводниками (такими как Si, GaAs, GaN) является его устойчивость к радиационному воздействию, что обеспечивает долгосрочную стабильность в больших электрических полях.
Объектом исследования в нашей работе является нанокристаллический ZnO, синтезируемый в форме тетрапода. Условия его получения характеризуются большей простотой по сравнению с ориентированными наноструктурами ZnO, требующими вакуумирования реакционной системы и более жёсткого контроля парциального давления кислорода.
Цель работы заключается в разработке синтеза ZnO с квазиодномерной структурой методом роста из газовой фазы.