|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Распространение импульса накачки в прямозонном полупроводнике при различных энергиях фотовозбуждения.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Ильинова Т.М.
- Автор: Ищенко Т.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 1986
- Аннотация: В дипломной работе Т.В.Ищенко решена самосогласованная задача о взаимодействии светового импульса с прямозонным полупроводником в приближении медленной и быстрой электрон-электронной релаксации. Для полупроводника, возбужденного вблизи дна зоны, используется двухзонная модель (валентная зона и основная долина зоны проводимости). Для полупроводника, возбужденного далеко от дна зоны, используется трехзонная модель (с учетом еще дополнительной долины в зоне проводимости). Изучено влияние междолинного рассеяния на процесс поглощения фотовозбуждающего импульса накачки и основные характеристики полупроводника. В дипломной работе найдены аналитические зависимости концентраций и энергий свободных носителей в зонах от плотности энергии фотовозбуждающего импульса, а также закон поглощения импульса при его распространении по образцу.
- Добавил в систему: Ильинова Тамара Михайловна