Аннотация:Обнаружено, что основным типом спиновых центров в исследуемых слоях окисленного кремния, приготовленного методом плазменно-стимулированного осаждения из газовой фазы (PECVD), являются А-центры (вакансии, захваченные междоузельными атомами кислорода). Их концентрация составила 8*1015 см-3.
Показано, что приложение в плоскости образца постоянного электрического поля, напряженность которого составляла 200 В/см, приводит к изменению конфигурации А-центров.
Обнаружено, что основным типом спиновых центров в нанокристаллическом диоксиде олова являются O2- и OH• - радикалы. Их интегральная концентрация увеличивается пропорционально росту площади удельной поверхности исследуемых образцов.
Модифицирование поверхности диоксида олова элементами палладия и молекулами воды приводит к существенному уменьшению концентрации O2- - радикалов (ниже предела детектирования спектрометра ЭПР). Это обусловлено формированием на поверхности образцов слоя PdO.