Аннотация:В ходе выполнения работы были проведены эксперименты по имплантации в монокристалл кремния ионов железа и ионов ксенона с энергиями в диапазоне 90 – 400 кэВ и с дозами 10^14 – 10^16 ион/см^2. Выбор ионов железа для модификации кремния обусловлен тем, что этот материал обладает перспективными магнитными и оптическими свойства. В свою очередь, ксенон является благородным газом и за счѐт высокой атомной массы хорошо разрешается с кремнием на спектрах РОР. Исследование полученных образцов проводилось методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием. Были рассмотрены соответствующие профили распределения по глубине внедрѐнной примеси и профили распределения радиационных дефектов образовавшихся при облучении ионами железа. Проведено сравнение полученных экспериментальных результатов с результатами моделирования программы TRIM.