Аннотация:Разработана технология изготовления многослойной литографической заготовки для системы электродов с необходимой точностью совмещения масок, определенным выбором материалов проводников и изоляторов и двухслойной маской. Отработана программно управляемая технология проведения электромиграции для получения нанозазоров и получены зазоры порядка 5 нм. Исследованием полученных зазоров и сравнением с теоретической моделью туннельного барьера показана пригодность данного метода для создания модели активного ключевого элемента электроники нанометровых размеров.