|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Cоздание системы наноэлектродов для молекулярного транзистора.дипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Сапков И.В.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2008
- Аннотация: В данной дипломной работе были проведены исследования применимости модифицированного метода напыления дополнительного металла на электроды-заготовки для изготовления зазоров пригодных для создания молекулярных транзисторов. В процессе исследований были получены следующие результаты: •изготовлены по технологии «висячей германиевой маски» системы тонкоплёночных металлических наноэлектродов с зазором порядка 70-100 нм. •разработана и реализована методика создания подтрава подложки под металлическими наноэлектродами ( т.е. обеспечения их «нависания» над подложкой) и изготовления тем самым заготовок висячих электродов нанотранзистора с зазором порядка 70-100 нм. •разработана методика формирования окна в дополнительном слое резиста для напыления второго слоя металла на первичные зазоры и совмещение этого окна с уже сформированной заготовкой наноэлектродов с точностью порядка 200-300 нм. •экспериментально показано уменьшение ширины первоначального зазора между электродами заготовки на величину 60±20 нм от напылённых 100 нм плёнки. •предложена и опробована новая методика формирования заготовки путём создания с помощью сфокусированного ионного луча разреза шириной порядка 70-100 нм в узкой порядка 100 нм тонкой металлической плёнки. •показана применимость предложенной технологии для формирования качественных заготовок для изготовления висячих электродов. Полученные результаты показывают применимость предложенной и реализованной модификации методики изготовления зазоров 20-нанометрового масштаба между металлическими тонкопленочными электродами способом напыления дополнительной пленки металла на широкий зазор.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич