|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Разработка методики изготовления наноэлектродов молекулярного транзистора с использованием явления электромиграции атомовдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Солдатов Е.С.
- Автор: Кутуров А.Н.,
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2007
- Аннотация: В данной работе изучен метод формирования зазора между металлическими тонкоплёночными электродами с использованием электромиграции атомов металла и изготовление этим методом нанозазоров в электродах из тонких плёнок золота. При этом получены следующие результаты. 1. Отработана технология изготовления заготовок наноэлектродов с выходом годных ~20%, включая разработку специальной топологии электродов с толщиной плёнки 4 нм и шириной 200 нм для проведения процесса электромиграции 2. Сконструирована и изготовлена измерительная установка позволяющая: - проведение электромиграции на уровне токов до 25 мА и напряжений до 10 В - измерение ВАХ образцов с сопротивлением до 30 ТОм 3. Разработана методика проведения процесса электромиграции атомов металла, с помощью которой созданы зазоры суб-5 нм диапазона с выходом годных 20% из предварительно созданных перемычек. 1. Измерены ВАХ характеристики изготовленных зазоров. Сравнение этих характеристик с полученными при помощи модели Симмонса электрическими характеристиками туннельных переходов позволило предположить туннельный характер проводимости полученных суб-5 нм зазоров и оценить ширину зазора примерно равной 2 нм.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич