Аннотация:На примере одномерного фотонного кристалла с помощью численного моделирования рассмотрены особенности распространения узких световых пучков в запрещенной области как полубесконечной периодической структуры, так и структуры конечной толщины. Полученные в работе расчетные формулы позволяют оценить структуру поля в различных точках внутри кристалла.
Показано, что для полубесконечной структуры в различных точках запрещенной частотной полосы имеют место искажения исходного гауссового профиля пучка: от раздвоения в окрестности левой границы до дифракционного уширения вблизи правой.
В центре брэгговской полосы возможны фокусировка и дефокусировка пучков с заданным радиусом фазового фронта. Фокусировка тем эффективнее, чем большая часть спектра пучка оказывается вне запрещенной зоны. Глубина пространственной модуляции поля вдоль оси значительно уменьшается в области фокусировки. В отличие от однородной среды в запрещенной полосе после сжатия пучок распадается на два расходящихся пучка.
Показано, что при распространении пучков в одномерном фотонном кристалле конечной толщины основные зависимости изменения пространственной структуры пучка от положения его спектра относительно запрещенной полосы сохраняются. Из-за резонансных свойств появляется дополнительная изрезанность профиля пучка.
Сравнение результатов, полученных с помощью спектрального метода и с помощью решения связанных уравнений, учитывающих дифракционную расходимость пучков, показало качественное совпадение для пучков с апертурой 5÷10 длин волн