Аннотация:Работа посвящена исследованию возможности полностью оптического переключения в фотоннокристаллических структурах на основе пористого кремния и арсенида галлия/арсенида алюминия при воздействии на данные объекты мощных лазерных импульсов.
Основные результаты работы:
1. Спроектированы фотоннокристаллические структуры на основе пористого кремния для реализации в них полного оптического переключения: сдвига спектров отражения при изменении интенсивности накачки.
2. Показано, что в мощных лазерных полях в изготовленных образцах на основе пористого кремния происходит сдвиг фотонной запрещенной зоны, а также резонанса отражения в случае фотоннокристаллического микрорезонатора.
3. Методом накачка-зонд показано, что в микрорезонаторах на основе пористого кремния и GaAs/AlAs сдвиг резонанса отражения существенно зависит от времени задержки между лазерными импульсами накачки и зонда и обусловлен такими быстрыми конкурирующими явлениями в слоях указанных структур, как генерация свободных носителей заряда, оптические керровская и тепловая нелинейности.