|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СПИНОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В МАГНИТНОЙ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЕдипломная работа (Специалист)
- Научный руководитель: Стрелков Н.В.
- Автор: Гриценко Юлия Витальевна
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2014
- Аннотация: Благодаря спинтронике появился такой электронный компонент как память MRAM (Magnetic Random Access Memory) -- магниторезистивная память с произвольным доступом. Достоинством такого типа памяти является её энергонезависимость и быстродействие. Существующие на сегодняшний день механизмы изменения логического состояния ячейки памяти MRAM по-прежнему интенсивно исследуются для увеличения быстродействия, повышения отказоустойчивости, снижения энергопотребления и снижения стоимости производства. В данной работе Спиновый эффект Холла рассматривается как основа для альтернативного механизма записи ячеек MRAM с помощью индуцированной электрическим током спиновой поляризации.
- Добавил в систему: Стрелков Никита Викторович