|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Изучение параметров нанопленок с помощью рассеяния ионов средних энергийдипломная работа (Специалист)
- Научные руководители: Патракеев А.С., Черныш В.С.
- Автор: Шемухин А.А.
- Тип: Специалист
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Год защиты: 2010
- Аннотация: Одним из основных методов определения элементного состава модифицированных твердых тел, изучения профилей распределения по глубине примесных или имплантированных атомов, определения состава и толщин слоев в многослойных покрытий, а также процессов взаимодиффузии в этих слоях является метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Но в связи с постоянным уменьшением размеров элементов интегральных схем, диктуемого требованиями современных технологий, стандартный метод РОР не всегда позволяет исследовать такие объекты с необходимым разрешением по глубине. Для исследования этих объектов в нашей лаборатории создан экспериментальный комплекс, основанный на методике спектроскопии ионов средних энергий (Medium Energy Ion Spectrometry, MEIS). Комплекс MEIS объединяет линейный ускоритель каскадного типа на энергию до 500 кэВ (фирмы High Voltage Engineering Europe – HVEE-500) и сверхвысоковакуумную камеру, оснащенную тороидальным электростатическим анализатором с уникальным детектором рассеянных ионов на основе микроканальных пластин. Спектроскопия рассеяния ионов средних энергий (СРИСЕ) является разновидностью метода РОР. Отличительной особенностью этого метода является использование ионов с меньшей, чем в традиционном РОР, энергией. Отметим, что в этой области энергий (для протонов – это энергии от 50 до 200 кэВ, а для ионов гелия начальные энергии могут достигать 400 кэВ) бомбардирующие ионы испытывают максимум торможения в веществе. СРИСЕ позволяет определять состав и кристаллическую структуру с разрешением по глубине в один монослой без нарушения изучаемого объекта. Подчеркнем ещё раз, что такое высокое разрешение по глубине необходимо, например, для исследования состава и толщины границ разделов многослойных структур, которые играют значительную, а иногда и определяющую роль в применимости тех или иных материалов в микро- и наноэлектронике. В настоящей дипломной работе приводится описание комплекса СРИСЕ и результаты его использования для анализа наноразмерных объектов.
- Добавил в систему: Черныш Владимир Савельевич