|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Электролюминесцентные и структурные свойства гетероструктур InGaN/GaN, полученных методом металло-органической эпитаксиидипломная работа (Бакалавр)
- Научные руководители: Юнович А.Э., Мармалюк А.А.
- Автор: Захаров Владислав Игоревич
- Тип: Бакалавр
- Организация, в которой проходила защита: МГУ имени М.В. Ломоносова, кафедра полупроводников физического факультета МГУ
- Год защиты: 2015
- Аннотация: Описаны методика выращивания гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN метало – органической эпитаксией и методика исследования спектров электролюминесценции светодиодов на основе этих структур, с которыми познакомился студент. Рассмотрена простая модель прямоугольной квантовой ямы в случае InGaN/GaN. Проанализированы экспериментальные данные для цикла экспериментов с вариацией температуры роста структур. Сделана оценка содержания In в квантовых ямах InGaN в зависимости от вариации температуры роста квантовых ям.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович