Спектры и эффективность излучения квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)AsP, полученных методом металло-органической эпитаксии. дипломная работа (Бакалавр)
Организация, в которой проходила защита:МГУ имени М.В. Ломоносова,
кафедра полупроводников физического факультета МГУ
Год защиты:2015
Аннотация:Рассмотрены свойства квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)AsP, которые используются при создании лазеров и фотоприемников, работающих в ближней инфракрасной области, на длинах волн 1.5 – 1.6 мкм. Описаны методы выращивания структур металло - органической эпитаксией. В рамках простой модели рассчитаны уровни квантования в этих структурах. На основе расчетов проведен анализ спектров фотолюминесценции гетероструктур (In,Ga)AsP, выращенных в НИИ "Полюс".