![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Как при атмосферном давлении, так и в условиях одноосного сжатия исследованы новые явления термоактивационной отрицательной фотопроводимости и положительной задержанной фотопроводимости, существующие в области низких температур в гетероструктурах на основе GaAs/Al0.5Ga0.5As р-типа с акцепторной примесью Ве в активном слое.