ИСТИНА

1. Впервые построена полная Р-Т проекция Р-Т-х фазовой диаграммы системы I - HG. С привлечением литературных данных построена Р-Т-х фазовая диаграмма системы I - HG (без линии состава пара). Рассчитаны стандартная энтальпия А8иЫН°298 = 86.9±2.3кДж/моль и энтропия сублимации А8иЫ80298= 155.9±3.5Дж/К моль 2. Тензиметрическим методом исследован состав пара в системах HGI2 - HG, HGI2 -12 в интервале температур 293 - 990 К. Показано, что пар состоит в основном из молекул HGI2, HG и 12. Выше 740 К становится заметной диссоциация дииодида ртути с образованием ртути и иода по следующей схеме: HGI2(г) <=> HG(г) + 12(г). Определена температурная зависимость константы диссоциации дииодида ртути и рассчитаны энтальпия и энтропия диссоциации газообразного HGI2, которые были приведены к стандартной температуре Л<н58Н0298 ~ 137.96 ±6.1 кДж/мояь, А^888°298 = 113.811.5 Дж/К моль. 3. Впервые проведено прецезионное исследование нестехиометрии красной модификации дииодида ртути со стороны иода. Показано, что растворимость иода в а-HGI2 достигает величины х=0,0024 при 390 К. На основании полученных данных построена граница области гомогенности сс-HGI2+х со стороны иода на Т-х проекции системы I - HG. Построены изотермы зависимости парциального давления иода от состава х. Показано, что изменение состава сопровождается изменением параметра «с» элементарной ячейки и плотности дииодида ртути, что позволило сделать предположение о внедрении иода между слабо связанными слоями [HGI4] кристаллической структуры сс-HGI2. 4. Проведено исследование массопереноса дииодида ртути через пар и в среде аргона. Установлено, что лимитирующей стадией массопереноса сс-HGI2 в вакуумированной ампуле является кристаллизация, а в присутствии аргона лимитирует диффузионно-кинетический механизм переноса. 5. Изучено влияние технологических факторов на качество кристаллов, выращиваемых методом колбания температуры и исследована динамика роста кристалла пр осцилляции температуры холодильника. Показано, что осцилляции приводят к растворению только на начальных этапах роста. Рекомендованы оптимальные режимы для получения больших кристаллов дииодида ртути.