|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремниядиссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Гэн Чунь
- Дата защиты: 16 мая 1991 года
- Шифр диссертационного совета: К. 053. 05. 20
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Киевский Государственный Университет имени Т.Г. Шевченко
- Организация, в которой выполнялась работа: МГУ имени М.В. Ломоносова, физический факультет
- Оппоненты: Абрамов В.О., Гусева М.Б.
-
Аннотация:
Исследованы аморфные сверхрешетки типов a-Si:H/a-SiNx:H и a-Si:H/a-SiCx:H (х=0.3) с толщинами слоев a = 14 - 100 ангстрем. Показано, что периодичность и совершенство слоев улучшается по мере увеличения числа слоев (40 - 60) и удаления слоев от подложки. Анализ контраста электронных микрофотографий позволил определить ширину границы раздела аморфных слоев кремния и нитрида кремния. На границе с кварцевой подложкой обнаружены макроскопические дефекты.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович