ИСТИНА

Исследована излучательная рекомбинация в p-n- структурах из фосфида галлия сильно легированного азотом, GaP:N. Показано, что при малых плотностях тока и температурах ~60 К внешний квантовых выход излучения на центре NN1 аномально высок и достигает величины 27%. Основной областью, где генерируется зеленое излучение в структурах из GaP:N, является компенсированная n- область, слабо легированная донорами, вблизи границы слоя пространственного заряда, в которой реализуются условия двойной инжекции и существенна дрейфовая компонента тока.