ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Исследовано влияние легирования различными примесями (In, Ga, Cd, Zn, Bi, S) на фотолюминесценцию монокристаллов и эпитаксиальных пленок PbTe и твердых растворов Pb1-xSnxTe (х<0.25) в широком интервале температур (20-270 K) при высоких уровнях возбуждения (до 200 кВт/см2). Спектры вынужденного излучения в узкозонном сильно вырожденном (Fn/Eg<0.6) Pb1-xSnxTe сравнены с теоретическими расчетами; показана необходимость учета температурной зависимости коэффициента потерь для объяснения высоких значений температурного коэффициента положения максимума спектра. Обнаруженная коротковолновая полоса в спектрах Pb1-xSnxTe объяснена распадом твердого раствора Pb1-xSnxTe при сильном легировании. Возрастание интенсивности фотолюминесценции при легировании S связано с улучшением структурного совершенства эпитаксиальных пленок.