ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Изучены поверхностные явления в кремнии, Si - эффект поля и поверхностная рекомбинация. Рассмотрена кинетика эффекта поля и показано, как она зависит от скорости поверхностной рекомбинации. Исследована поверхностная фотопроводимость кремния.