ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
1. Установлено, что фотовозбуждение слоев оксида олова, состоящих из нанокристаллов с размерами 4-100 нм, с энергией квантов 3-5 эВ приводит к пре-имущественному накоплению положительного заряда на поверхности исследуемых образцов, что может быть объяснено захватом дырок на поверхности нанокристаллов и диффузией фотовозбужденных электронов вглубь слоя. 2. Установлено, что основной вклад в изменение электропроводности слоев оксида олова при фотовозбуждении связан с увеличением концентрации не-равновесных электронов, которая при комнатной температуре достигает значений порядка 1019см-3 и сохраняется в течение длительного времени (более 10 минут) после окончания фотовозбуждения. 3. Фотовозбуждение нанокристаллических слоев SnO2 с энергией квантов меньше ширины запрещенной зоны позволяет повысить на порядок сенсорный сигнал, определяемый как относительное изменение электропроводности, при ад-сорбции донорных и акцепторных молекул.