ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
На монокристалличtских образцах CdCr2Se4, легированных Ga или In, обнаружена немонотонная температурная зависимость удельного электросопротивления с максимумом в температуре Кюри, который сильно понижается под действием магнитного поля, то есть наблюдалось гигантское отрицательное магнитосопротивление. В некоторых составах немного выше точки Кюри наблюдалось большое положительное магнитосопротивление. При высоком уровне легирования наблюдался низкотемпературный переход изолятор - металл. Все эти эффекты объяснены сушествованием особых магнитно-примесных состояний, вызванных сильным s-d обменом.