ИСТИНА

Научные положения и результаты, выносимые на защиту: 1. Схемотехническое решение мостового тензорезистивного преобразователя давления, отличающееся использованием в двух плечах мостовой схемы усилительных каскадов и применением восьми тензорезисторов в базовых, эмиттерных, коллекторных цепях усилителей, что обеспечивает увеличение чувствительности не менее чем в 3,5 раза относительно применения электрической схемы в виде тензорезистивного моста. 2. Конструкторско-технологическое решение построения тензорезистивного преобразователей давления по схеме п.1, отличающееся тем, что технологически реализуется топологическая структура, в соответствии с патентом РФ №195159 «Интегральный высокочувствительный элемент преобразователя давления на основе вертикального биполярного транзистора», в которой на полупроводниковой мембране в областях механических напряжений сжатия и растяжения размещаются восемь тензорезисторов p-типа проводимости и два недеформируемых биполярных транзистора с вертикальной структурой n-p-n-типа проводимости, что обеспечивает сокращение габаритных размеров не менее чем в 2,4 раза, при сохранении показателей чувствительности относительно преобразователя давления со схемой в виде тензорезистивного моста.