ИСТИНА

В материалах, обладающих магнитным упорядочением, наблюдается неравновесная спиновая плотность состояний – среди носителей зарядов преобладает выделенное направление спина, спиновая поляризация. В основе спинтроники лежит идея использования спиновой поляризации для создания устройств и приборов нового типа, использующих создание неравновесной спиновой плотности в материале, управление ориентацией спинов и спин-поляризованными токами с помощью внешних полей и детектирование образующегося спинового состояния. Использование спина наряду с зарядом для реализации спинтронных устройств дает ряд преимуществ по сравнению с современной микроэлектроникой. Для переворота электронного спина магнитным полем требуется значительно меньше энергии, и происходит он быстрее перемещений электронных зарядов под действием электрического поля. Поэтому можно рассчитывать, что управление спиновыми состояниями позволит создавать в будущем сверхмалые логические элементы и компьютерные компоненты большой информационной емкости с огромным быстродействием и малым энергопотреблением [1]. В настоящее время ферромагнитные полупроводники рассматриваются в качестве материалов для инжекторов спин-поляризованных носителей заряда в устройствах полупроводниковой спиновой электроники, а также для разработки нового поколения элементов магнитной памяти [2]. Наиболее перспективными классами ферромагнитных полупроводников для этой цели являются широкозонные соединения AIIIBV и полупроводниковые оксиды, допированные переходными металлами [3,4]. Преимущества соединений AIIIBV заключаются в их лучшей совместимости со стандартными полупроводниковыми технологиями. Кроме того, безусловно, интерес представляет ферромагнитный полупроводниковый материал на основе кремния. Актуальность представленной работы определяется важностью вопросов, касающихся природы и причин возникновения ферромагнетизма при комнатной температуре в полупроводниковых материалах (полупроводниках группы AIIIBV, IV (Si), а также оксидах). Вследствие своей уникальности данные материалы представляют собой чрезвычайный интерес как для фундаментальной науки, так и для прикладной – на их основе возможно создание нового поколения устройств 2 спинтроники, использующих спиновую степень свободы наряду с зарядовой [5,6]. Реализация сочетания ферромагнитного состояния при температурах, превышающих комнатную, и полупроводниковых свойств, таких как чувствительность к допированию и внешним электрическим полям, в этих материалах является увлекательной и одновременно весьма сложной задачей, решение которой, кроме того, ограничено необходимостью совместимости подобных материалов с существующими технологиями полупроводниковой электроники. В настоящее время ведется активный поиск материалов, удовлетворяющих этим требованиям, и анализируются факторы, являющиеся ключевыми в формировании магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников (РМП). Цели исследования Цель диссертационной работы заключалась в исследовании магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе кремния, арсенида индия, оксида цинка и нитрида галлия, допированных различными элементами. Задачи исследования Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи: 1. Разработка методики исследования магнитных свойств тонких пленок разбавленных магнитных полупроводников с помощью вибрационного магнитометра. Проведение комплексного исследования магнитных свойств при различных температурах образцов РМП на основе Si, InAs, GaN и ZnO, полученных как физическими, так и химическими методами. 2. Анализ результатов исследования магнитных свойств с помощью вибрационной магнитометрии, их сопоставление с результатами исследований транспортных, магнитооптических и структурных свойств материалов в рамках существующих теоретических моделей, описывающих ферромагнетизм при комнатной температуре в разбавленных магнитных полупроводниковых материалах.