ИСТИНА

Диссертация посвящена моделированию дифференциальных и интегральных характеристик (таких как: сечения фотопоглощения, спектры и угловые распределения фотоэлектронов, заселённости различных атомных и ионных состояний, выходы ионов различной кратности) в процессах фотоионизации. Теоретически исследование проведено для атомов и ионов неона и криптона под действием высокоинтенсивного импульса в диапазоне от экстремального ультрафиолета до мягкого рентгена. В большинстве исследуемых случаев теория сопровождает соответствующие эксперименты. Обсуждается также развитый формализм для расчёта угловых распределений фотоэлектронов под действием закрученного бесселева излучения, иллюстрация применения которого дана на примере ионизации атома гелия в области его низших автоионизационных состояний. Кроме того, предложена методика экспериментальной диагностики бесселевых пучков.