ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Исследованы оптические и электрические свойства гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN c целью научного обоснования разработок эффективных светодиодов в видимой области спектра как основы освещения будущего. Спектры электролюминесценции описаны моделью двумерной комбинированной плотности состояний с учетом флуктуаций потенциала и изменения температуры активной области с током. Показано, что полоса в спектрах электроотражения р-n -гетероструктур соответствует эффективной ширине запрещенной зоны в активной области InGaN/GaN, определенной из спектров электролюминесценции светодиодов. Показано, что барьерный слой р-AlGaN существенно влияет на величину флуктуаций потенциала. КПД исследованных светодиодов на подложках SiC достигает значений 16-22% при токах 100-350 мА.