| Технические характеристики: |
Технические характеристики:
Диапазон температур: T=4 K - 450 K.
Точность определения температуры: 1 К.
Диапазон частот при измерениях на перемен-ном сигнале: f=5 Гц - 13 МГц.
Точность регулировки частоты переменного сигнала: 1 Гц.
Диапазон подаваемых напряжений: U=0 В - 500 В.
Диапазон измеряемых токов на постоянном сигнале: I=10 фА - 20 мА.
Диапазон измерения сопротивления на переменном сигнале: R=1 Ом - 1 МОм.
Диапазон измерения емкости: С=1пФ - 100мФ.
Диапазон измерения индуктивности: L=100нГн - 1000Гн.
Вакуум до 10-5 Торр.
Криостаты: минимальная темп.: Тmin=4.2 К Время охл. до Тmin: T=65 мин. Точн. контроля 0.001 К
Назначение:
Электрофизических измерения параметров наноструктур в т.ч. при низких температурах.
Производитель:
Alcatel, Франция
Advanced Research Systems, Inc., США
Год выпуска: 2004
|
