| Технические характеристики: |
«Обработка поверхности в плазме двухчастотного электрического
емкостного ВЧ разряда»
Рабочие газы: N2 , O2 , H2 , He, Ar, Ne, Kr.
Материалы: пленки металлов, полупроводников и диэлектриков.
Включает комплекс диагностик с измерением состава, потока и энергии ионов на
поверхность (масс-спектрометрия, МW зонд и зонд Ленгмюра, анализатор спектра
энергии ионов)
Включает комплекс определения концентрации радикалов (эмиссионная
спектроскопия и актиноиметрия от УФ до ближнего ИК области спектра).
«Обработка поверхности в плазме двухчастотного электрического
индуктивного ВЧ разряда»
Рабочие газы: N2 , O2 , H2 , He, Ar, Ne, Kr.
Материалы: пленки металлов, полупроводников и диэлектриков.
Включает комплекс диагностик с измерением состава, потока и энергии ионов на
поверхность (масс-спектрометрия, МW зонд и зонд Ленгмюра, анализатор спектра
энергии ионов)
Включает комплекс определения концентрации радикалов (эмиссионная
спектроскопия и актиноиметрия от УФ до ближнего ИК области спектра).
«Осаждение на поверхности углеродных наноструктур из
электроразрядной плазмы»
Реактор плазмохимического осаждения в разряде постоянного тока для
безкатализаторного синтеза пленок нанокристаллического графита, состоящих из
нормально ориентированных к подложке графеновых плоскостей и нанотрубок.
«Осаждение на поверхности прозрачных проводящих оксидов
методом ультразвукового электростатического спрей-пиролиза»
Осаждение оксидов металлов In, Sn, Zn.
Рабочие газы Ar, O2 , N2.
Контроль толщины пленок оксидов.
Возможность использования электростатического поля в процессе
осаждения.
«Измерения характеристик фотоэлектрических преобразователей
света»
Измерение спектрального отклика ФЭП в диапазоне 300-1200 нм.
Измерение темновых и световых вольт-амперных характеристик ФЭП с
использованием двухканального источника-измерителя Keithly-2602A.
«Измерения оптических характеристик наноструктурированных
поверхностей в широком спектральном диапазоне»
Измерение диффузного пропускания (в области 180-1100 нм), отражения (в
области 380-1100 нм) твердых образцов с использованием интегрирующей сферы
на спектрофотометре СФ-56 (ЛОМО-Спектр).
Сканирующий электронный микроскоп с приставкой для совмещенного с растровым
изображением рентгеновского элементного анализа (XRF). Пространственное
разрешение 5 – 10 нм, точность определения элемента вплоть до монослоя.
Спектроскопический эллипсометр SENTECH 800 для определения оптических
параметров тонких нанометровых пленок. При наличии физико-математической модели
материала возможно определение толщины слоя материала с точностью до 1-3 нм, а
также оптических параметров (показатели преломления и поглощения и их дисперсии).
|
| Расписание: |
Расписание работы: ежедневно с 10:00 до 19:00
Запись по телефонам +7 495 939 23 06, +7 495 939 55 56, +7 495 939 55 95 (факс)
|
| Адрес: |
МГУ, Ленинские горы, НИИЯФ
|
|
