Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Solid-State Electronics
журнал
Индексирование: JCR (1 января 1970 г.-), Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Издательство:
Pergamon Press Ltd.
Местоположение издательства:
United Kingdom
ISSN:
0038-1101 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2022
Parallel nanowire sensors with a high-k gate oxide for the sensitive operation in liquids
Popov V.P.,
Tikhonenko F.V.
, Antonov V.A.,
Zarubanov A.A.
, Gluhov A.V.,
Tatarintsev A.A.
,
Miakonkikh A.V.
,
Rudenko K.V.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 194
DOI
2020
Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator
Popov V.P., Antonov V.A., Gutakovskiy A.K., Tyschenko I.E., Vdovin V.I.,
Miakonkikh A.V.
,
Rudenko K.V.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 168, с. 107734
DOI
2017
Study of built-in electric field in active region of GaN/InGaN/AlGaNLEDs by electroreflectance spectroscopy
Avakyants L.P.
,
Aslanyan A.E.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Polozhentsev K.Yu
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 130, № 4, с. 45-48
DOI
2016
Experimental demonstration of strained Si nanowire GAA n-TFETs and inverter operation with complementary TFET logic at low supply voltages
Luong G.V.
,
Strangio S.
,
Tiedemannn A.
,
Lenk S.
,
Trellenkamp S.
,
Bourdelle K.K.
, Zhao Q.T.,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 115, с. 152-159
DOI
2016
Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX
Aoulaiche M.
, Simoen E.,
Caillat C.
,
Witters L.
,
Bourdelle K.K.
,
Nguyen B.Y.
,
Martino J.
,
Claeys C.
,
Fazan P.
,
Jurczak M.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 117, с. 123-129
DOI
2015
Demonstration of higher electron mobility in Si nanowire MOSFETs by increasing the strain beyond 1.3%
Luong G.V.
,
Knoll L.
,
Blaeser S.
,
Süess M.J.
,
Sigg H.
,
Schäfer A.
,
Trellenkamp S.
,
Bourdelle K.K.
,
Buca D.
, Zhao Q.T.,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 108, с. 19-23
DOI
2015
Improved Tunnel-FET inverter performance with SiGe/Si heterostructure nanowire TFETs by reduction of ambipolarity
Richter S.
,
Trellenkamp S.
,
Schäfer A.
,
Hartmann J.M.
,
Bourdelle K.K.
,
Zhao Q.T.
,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 108, с. 97-103
DOI
2015
Superior performance and Hot Carrier reliability of strained FDSOI nMOSFETs for advanced CMOS technology nodes
Besnard G.
,
Garros X.
,
Andrieu F.
,
Nguyen P.
,
Van Den Daele W.
,
Reynaud P.
,
Schwarzenbach W.
,
Delprat D.
,
Bourdelle K.K.
,
Reimbold G.
,
Cristoloveanu S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 113, с. 127-131
DOI
2014
Reliability of ultra-thin buried oxides for multi-VT FDSOI technology
Besnard G.
,
Garros X.
,
Nguyen P.
,
Andrieu F.
,
Reynaud P.
,
Van Den Daele W.
,
Bourdelle K.K.
,
Schwarzenbach W.
,
Toffoli A.
,
Kies R.
,
Delprat D.
,
Reimbold G.
,
Cristoloveanu S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 97, с. 8-13
DOI
2014
Strained Si and SiGe tunnel-FETs and complementary tunnel-FET inverters with minimum gate lengths of 50nm
Knoll L.
,
Richter S.
,
Nichau A.
,
Trellenkamp S.
,
Schäfer A.
,
Bourdelle K.K.
,
Hartmann J.M.
,
Zhao Q.T.
,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 97, с. 76-81
DOI
2014
Strained silicon based complementary tunnel-FETs: Steep slope switches for energy efficient electronics
Knoll L.
,
Richter S.
,
Nichau A.
,
Trellenkamp S.
,
Schäfer A.
,
Wirths S.
,
Blaeser S.
,
Buca D.
,
Bourdelle K.K.
,
Zhao Q.T.
,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 98, с. 32-37
DOI
2013
Si tunneling transistors with high on-currents and slopes of 50mV/dec using segregation doped NiSi2 tunnel junctions
Knoll L.
,
Schmidt M.
,
Zhao Q.T.
,
Trellenkamp S.
,
Schäfer A.
,
Bourdelle K.K.
,
Mantl S.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 84, с. 211-215
DOI
2013
Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances
Ben Akkez Imed
,
Fenouillet-Beranger Claire
,
Cros Antoine
,
Perreau Pierre
,
Haendler Sébatien
,
Weber Olivier
,
Andrieu François
,
Pellissier-Tanon D.
,
Abbate F.
,
Richard C.
,
Beneyton R.
,
Gouraud P.
,
Margain A.
,
Borowiak C.
,
Gourvest E.
,
Bourdelle K.K.
,
Nguyen B.Y.
,
Poiroux T.
,
Skotnicki Thomas
,
Faynot Olivier
,
Balestra Francis
,
Ghibaudo Gérard
,
Boeuf Fréderic
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 90, с. 143-148
DOI
2012
Quantum simulation of an ultrathin body field-effect transistor with channel imperfections
Vyurkov V.
,
Semenikhin I.
,
Filippov S.
,
Orlikovsky A.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 70, с. 106-113
2012
Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source
Zhao Q.T.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 74, с. 97-101
DOI
2011
High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 62, № 1, с. 185-188
DOI
2010
Experimental Measurement of Work Functionin Doped Silicon Surfaces
Novikov A.V.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 54, с. 8-13
2010
Impact of a 10nm ultra-thin BOX (UTBOX) and ground plane on FDSOI devices for 32nm node and below
Fenouillet-Beranger C.
,
Perreau P.
,
Denorme S.
,
Tosti L.
,
Andrieu F.
,
Weber O.
,
Monfray S.
,
Barnola S.
,
Arvet C.
,
Campidelli Y.
,
Haendler S.
,
Beneyton R.
,
Perrot C.
,
de Buttet C.
,
Gros P.
,
Pham-Nguyen L.
,
Leverd F.
,
Gouraud P.
,
Abbate F.
,
Baron F.
,
Torres A.
,
Laviron C.
,
Pinzelli L.
,
Vetier J.
,
Borowiak C.
,
Margain A.
,
Delprat D.
,
Boedt F.
,
Bourdelle K.
,
Nguyen B.Y.
,
Faynot O.
,
Skotnicki T.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 54, № 9, с. 849-854
DOI
2004
Fabrication of ZnO-based metal-insulator-semiconductor diodes by ion implantation
Alivov Ya I.
,
Look D.C.
, Ataev B.M.,
Chukichev M.V.
,
Mamedov V.V.
,
Zinenko V.I.
,
Agafonov Yu A.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 48, № 12, с. 2343-2346
2003
ZN DOPING INTO INP INDUCED BY ND: YAG CONTINUOUS WAVE LASER
Hongtao T., Zhihua C.,
Chao C.
,
Haiguang Z.
,
Kashkarov P.K.
,
Markevich M.I.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 47, № 5, с. 923-925
2002
Non-radiative recombination at reconstructed Si surfaces
Dittrich T.
, Bitzer T., Rada T.,
Timoshenko V.Y.
,
Rappich J.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 46, № 11, с. 1863-1872
DOI
2001
Performance of nanocrystalline graphite field emitters
Busta H.H.
,
Espinosa R.J.
,
Rakhimov A.T.
,
Suetin N.V.
,
Timofeyev M.A.
, Bressler P.,
Schramme M.
,
Fields J.R.
,
Kordesch M.E.
, Silzars A.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 45, № 6, с. 1039-1047
1996
A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctions
Koshelev O.G.
,
Morozova V.A.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 39, № 9, с. 1379-1383
DOI
1996
Phonon Raman scattering in quantum wires
Rubio J.,
VanderMeulen H.P.
,
Mestres N.
,
Calleja J.M.
, Wang K.H.,
Ils P.
,
Forchel A.
,
Gippius N.A.
,
Tikhodeev S.G.
в журнале
Solid-State Electronics
, издательство
Pergamon Press Ltd.
(United Kingdom)
, том 40, № 1-8, с. 707-710
DOI