|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Triangular semiconductor NAND gate.патент
- Авторы: Kudryavtsev V.B., Andreev A.E., Aleshin S.V., Scepanovic R., Podkolzin A.S.
- Номер: US 5,864,165
- Дата публикации патента: 26 января 1999 г.
-
Реферат (описание изобретения):
Соавторы - Rostoker M.D., Koford J.S.,Jones E.R., Padmanahben G.R., Kapoor A.K.
- Добавил в систему: Кудрявцев Валерий Борисович