ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Полезная модель относится к области измерительной техники и автоматики, представляет собой интегральный чувствительный элемент преобразователя давления и может быть использована в малогабаритных преобразователях давления в электрический сигнал. Интегральный элемент сформирован на кремниевом кристалле, имеющем эпитаксиальный слой n-типа проводимости и подложку p+-типа проводимости, включает мембрану с тремя жесткими центрами и схему измерения, где имеется два биполярных транзистора с вертикальной структурой n-p-n-типа проводимости, изолированных друг от друга разделительными областями из кремния p+-типа проводимости, и восемь тензорезисторов p-типа проводимости, образующих соединение в виде дифференциального каскада с отрицательной обратной связью. Недеформируемые транзисторы соединены алюминиевыми металлизированными дорожками и перемычками p+-типа проводимости с тензорезисторами разных знаков чувствительности при подаче давления со стороны мембраны, расположенных вдоль двух областей механических напряжений сжатия на утоненной части мембраны между жесткими центрами и утолщенной частью мембраны, а также вдоль двух областей механических напряжений растяжения на утоненной части мембраны между двумя соседними жесткими центрами мембраны. Высокое значение разбаланса выходного сигнала схемы измерения при подаче давления и его отсутствия достигается благодаря использованию биполярного транзистора с вертикальной структурой n-p-n-типа проводимости, имеющего повышенное значение коэффициента усиления по току, и восьми тензорезисторов p-типа проводимости с номинальными значениями сопротивления, рассчитанными относительно высокого коэффициента усиления по току биполярного транзистора.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Полный текст | 195160.pdf | 5,7 МБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |