ИСТИНА

Использование: для создания чувствительного элемента преобразователя давления. Сущность полезной модели заключается в том, что интегральный элемент сформирован на кремниевом кристалле, имеющем эпитаксиальный слой n-типа проводимости и подложку p+-типа проводимости, включает мембрану с жестким центром и схему измерения, где имеются два биполярных транзистора с вертикальной структурой n-p-n-типа проводимости, изолированных друг от друга разделительными областями из кремния p+-типа проводимости, и восемь тензорезисторов p-типа проводимости, образующих соединение в виде дифференциального каскада с отрицательной обратной связью. Недеформируемые транзисторы соединены алюминиевыми металлизированными дорожками и перемычками p+-типа проводимости с тензорезисторами разных знаков чувствительности при подаче давления со стороны мембраны, расположенных вдоль двух областей механических напряжений сжатия между утоненной частью и утолщенной частью мембраны, а также вдоль двух областей механических напряжений растяжения между утонённой частью и жестким центром мембраны. Снижение зависимости выходного сигнала измерительной схемы при воздействии температуры происходит благодаря использованию биполярного транзистора с вертикальной структурой n-p-n-типа проводимости, имеющего повышенное значение коэффициента усиления по току, и восьми тензорезисторов p-типа проводимости с номинальными значениями сопротивления, рассчитанными относительно высокого коэффициента усиления по току биполярного транзистора. Технический результат обеспечение возможности: снижения температурной зависимости выходного сигнала.