ИСТИНА

Изобретение относится к области квантовой электроники. Полупроводниковые кремниевые наноструктуры для лазеров и оптических усилителей формируют последовательным нанесением слоев окиси кремния и диоксида кремния на кремниевую подложку. Полученная структура проходит термический отжиг в атмосфере азота. В результате чего слои монооксида кремния трансформируются в слои нанокристаллов кремния, которые разделены слоями диоксида кремния. В слой диоксида кремния сформированной структуры имплантируются ионы эрбия, после чего структура в целом вновь подвергается термическому отжигу. Такая кремниевая наноструктура может быть использована для оптической накачки лазеров и оптических усилителей. Таким образом, данное изобретение обеспечивает получение лазерного эффекта и оптического усиления в полупроводниковых и кремниевых наноструктурах. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.