ИСТИНА

Изобретение относится к химии, наукам о материалах, нанотехнологиям, к технологии создания сверхрешеток нанокристаллов. Способ формирования пленки сверхрешетки нанокристаллов основан на осаждении монодисперсных нанокристаллов из коллоидных растворов концентрацией 1013-1018 шт/мл на проводящие подложки, закрепленные вертикально или под углом 30-90° к поверхности раствора с приложением к подложкам разности потенциалов в интервале 1-50 В. Технический результат - создание пленки пространственно-упорядоченных нанокристаллов на гладких проводящих подложках неограниченных размеров. Сверхрешетки нанокристалллов такого рода могут служить прототипами компонентов устройств электроники и оптоэлектроники нового поколения. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.