ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Группа изобретений относится к области ускорительной техники. Способ определения степени разрушения кристаллической структуры образца основан на регистрации вторичного ионизирующего излучения при различных углах вращения образца и полупроводникового детектора с определением типа каждой регистрируемой частицы по фронту импульса, и последующим определением степени разрушения образца по параметру аморфизации. Технический результат – определение степени разрушения кристаллической структуры образца, имеющего по меньшей мере одну плоскую поверхность, в процессе его облучения ускоренными частицами без нарушения вакуумного цикла.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Иллюстрация | Патент | Patent_No2792256.pdf | 1,3 МБ | 29 мая 2023 [VorobyevaEA] |