ИСТИНА

Группа изобретений относится к области ускорительной техники. Способ определения степени разрушения кристаллической структуры образца основан на регистрации вторичного ионизирующего излучения при различных углах вращения образца и полупроводникового детектора с определением типа каждой регистрируемой частицы по фронту импульса, и последующим определением степени разрушения образца по параметру аморфизации. Технический результат – определение степени разрушения кристаллической структуры образца, имеющего по меньшей мере одну плоскую поверхность, в процессе его облучения ускоренными частицами без нарушения вакуумного цикла.