![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии. Способ включает нагрев фотонных кристаллов из оксида кремния с модифицирующим агентом - кристаллофосфором иодидом цезия в вакууме при температуре не менее 800 C в течение не менее 15 часов. Иодид цезия может быть активирован различными примесями (Na, Tl, In, CO3, и др.), обеспечивающими более яркую, по сравнению с чистым CsI, радиолюминесценцию на разных длинах волн видимого спектра. Использование в качестве наполнителя иодида цезия, являющегося сцинтиллятором, обеспечивает хорошую смачиваемость микросфер диоксида кремния его расплавом под действием капиллярных сил без приложения внешнего давления, позволяя получать оптически инвертированный композит с примерно таким же оптическим контрастом (отношением коэффициентов преломления сред, заполняющих микросферы и поры между ними), как и у исходного оксида кремния.