|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Способ получения полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опалапатент
- Авторы: Климонский С.О., Синицкий А.С., Бондаренко Е.А., Михнев Л.В., Гусев А.С., Каргин Н.И., Бондаренко С.А., Абрамова В.В., Самсонова Е.В.
- Номер: RU 2383082 C1
- Дата публикации патента: 27 февраля 2010 г.
-
Реферат (описание изобретения):
Способ получения полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опала с низкой концентрацией дефектов (порядка одного на 2 мкм2), основанный на темплатном методе, отличающийся тем, что в качестве материалов, из которых формируется каркас фотонного кристалла, используются соединения с комбинированными оптическими, электрическими и магнитными свойствами Zn2SiO4, LiFe5O8, BaFe12O19, BaTiO3, SrTiO3, MgAl2O4 и Y3Al5O12.
- Добавил в систему: Климонский Сергей Олегович