ИСТИНА

Изобретение относится к области икро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-п перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Сущность изобретения в структуре гетерогенного р-п перехода на основе, по крайней мере, одного наностержня оксида цинка п-типа проводимости и полупроводниковой пленки р-типа проводимости, расположенных на подложке, полупроводниковая пленка выполнена из оксида никеля и расположена непосредственно на подложке, либо на верхних концах наностержней. Техническим результатом изобретения является создание более совершенного перехода.