ИСТИНА

Использование: для малогабаритных преобразователей давления в электрический сигнал. Сущность полезной модели заключается в том, что интегральный элемент сформирован на кристалле, имеющем эпитаксиальный слой, выполненный из кремния n-типа проводимости, и подложку, выполненную из кремния p+-типа проводимости, включает мембрану и мостовую схему измерения давления и дополнительно содержит температурный датчик, выполненный непосредственно в утолщенной части мембраны чувствительного элемента в виде трех последовательно соединенных алюминиевыми металлизированными дорожками изолированных диодов, созданных по планарной технологии в виде p-n-перехода структурой «коллектор-база», где область «коллектора» диода сформирована из кремния n+-типа проводимости, область «базы» диода сформирована из кремния p-типа проводимости, к каждой области в отдельности подведены алюминиевые металлизированные дорожки с алюминиевыми металлизированными контактными площадками, диоды изолированы друг от друга благодаря формированию разделительных областей, сформированных из кремния p+-типа проводимости в эпитаксиальной области, где на разделительную область подается наименьший потенциал - «земля». Технический результат: обеспечение возможности измерения температуры непосредственно в самом объеме чувствительного элемента. 6 ил.