ИСТИНА

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К. Сущность: бикристалл выращивают из расплава лейкосапфира на двойную затравку, которую изготавливают из двух монокристаллических пластин треугольной формы, вырезанных из монокристаллического слитка лейкосапфира, после чего на боковых поверхностях каждой из пластин выполняют срез, плоскость которого шлифуют, химико-механически полируют и соединяют пластины между собой плоскостями среза в держателе, затем двойную затравку помещают в вакуум или атмосферу инертного газа при температуре плавления лейкосапфира, вводят двойную затравку в соприкосновение с расплавом лейкосапфира и производят наращивание бикристалла на двойную затравку, из которого после его охлаждения вырезают бикристаллическую подложку, причем после химико-механического полирования на поверхность подложки наносят буферный слой, на который затем напыляют эпитаксиальную высокотемпературную сверхпроводящую пленку. 1 табл., 2 ил.