![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Полезная модель относится к области измерительной техники и автоматики, представляет собой интегральный чувствительный элемент преобразователя давления и может быть использована в малогабаритных преобразователях давления в электрический сигнал. Интегральный элемент сформирован на кристалле, имеющем эпитаксиальный слой, выполненный из кремния n-типа проводимости, и подложку, выполненную из кремния p+-типа проводимости, включает мембрану и схему измерения давления в виде дифференциального каскада. Высокое значение разбаланса выходного сигнала схемы измерения дифференциального каскада при подаче давления и его отсутствия достигается благодаря использованию на оборотной стороне кристалла квадратной кремниевой мембраны с жестким центром и расположению первого тензотранзистора, тензорезистора коллекторной области первого тензотранзистора и тензорезистора базовой области второго тензотранзистора вдоль границы концентрации напряжений между жестким центром и утоненной частью мембраны, а также второго тензотранзистора, тензорезистора коллекторной области второго тензотранзистора и тензорезистора базовой области первого тензотранзистора вдоль границы концентрации напряжений между утолщенной частью и утоненной частью мембраны. Техническим результатом полезной модели является увеличение выходного сигнала чувствительного элемента при подаче давления.
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Patent_RU174159U1.pdf | Patent_RU174159U1.pdf | 5,7 МБ | 6 августа 2021 [BasovMikhail] |